小尺寸650V GaN HEMT 设计解决方案,GaN Systems GS-EVB-HB-66508B-ON1评估板在贸泽开售

) 即日起开始备货的评估板。此高速子板结合了GaN Systems的两个650 V氮化镓 (GaN) E-HEMT和安森美半导体的NCP51820栅极驱动器,可为现有或新的离线设计提供高性价比半桥解决方案。

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作为授权分销商,贸泽电子始终致力于快速引入新产品与新技术,帮助客户设计出先进产品,并使客户产品更快走向市场。超过800家半导体和电子元器件生产商通过贸泽将自己的产品带向全球市场。贸泽只为客户提供通过全面认证的原厂产品,并提供全方位的制造商可追溯性。

贸泽备货的评估板具有安森美半导体的一个栅极驱动器、GaN Systems的两个采用高侧/低侧配置的增强型硅基GaN功率开关,以及所有必需的驱动电路。NCP51820拥有非常短的匹配传播延迟,先进的电平移位技术以及单独的专用稳压器,可以防止功率开关的门极发生过压情况。两个GS66508B器件都是底部冷却晶体管,可为要求苛刻的高功率应用提供极低的结至外壳热阻。

上述产品特性使得GS-EVB-HB-66508B-ON1 板能够大幅降低功耗、重量、尺寸和系统成本。这款25 mm × 25 mm 的电路板可以替代现有电源中的高侧/低侧驱动器和MOSFET,非常适合用于AC-DC适配器、数据中心电源、光伏逆变器、储能系统和无桥图腾柱拓扑等应用。

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关于贸泽电子 (Mouser Electronics)

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关于GaN Systems

GaN Systems提供多种氮化镓高功率晶体管,适用于消费电子、数据中心、工业与运输功率转换应用。这些器件具备极低的导通电阻与极小的电荷储存能力,可提供优于现有硅基解决方案的切换效率,并为开关电源设计、逆变器、混合动力汽车与电动车、电池管理及功率因子校正提供了显著的优势。