MOSFET

玩转SiC功率MOSFET之前,这些知识点你必须掌握!

碳化硅(SiC)功率MOSFET受到很多关注,因为它们既可以快速开关,又能同时保持高阻断电压。但是它们出色的开关特性也伴随潜在的缺点。由不理想的电路板布局引起的寄生电感,以及碳化硅MOSFET的快速dv/dt和di/dt质量,可能产生电压和电流过冲、开关损耗和系统不稳定性问题。为了避免这些困难,设计人员必须深入了解碳化硅MOSFET的开关特性。

深入理解功率MOSFET数据表(上)

作者:高杨

在汽车电子的驱动负载的各种应用中,最常见的半导体元件就是功率MOSFET了。本文不准备写成一篇介绍功率MOSFET的技术大全,只是让读者去了解如何正确的理解功率MOSFET数据表中的常用主要参数,以帮助设计者更好的使用功率MOSFET进行设计。

功率MOS管的这五种损坏模式,你知道几种?

第一种:雪崩破坏

如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击穿电流其值不同),并超出一定的能量后就发生破坏的现象。

MOSFET器件选型,你需要掌握的3大法则!

俗话说“人无远虑必有近忧”。对于电子设计工程师,在项目开始之前、器件选型之初,就要做好充分考虑,选择最适合自己需要的器件,才能保证项目的成功。

处理MOSFET非线性电容

自从30多年前首次推出以来,MOSFET已经成为高频开关电源转换的主流。该技术一直在稳步改进,目前我们已经拥有了对于毫欧姆RDSON值的低电压MOSFET。对于较高电压的器件,它正快速接近一位数字。实现这些改进的两个主要MOSFET技术进展是沟槽栅极和电荷平衡结构[1]。电荷平衡技术最初是为能够产生超结(superjunction)MOSFET的高电压器件而开发的,现在该技术也扩展到更低的电压。虽然该技术大幅度降低了RDSON以及所有的连结电容,但它也使得后者更加非线性化。MOSFET中的有效存储电荷和能量确实减少了,并且是显著地减少了,但是,计算这些参数或比较不同的MOSFET以获得最佳性能,已经成为一项相当复杂的事情。

【安全区】Mosfet :“炸”或“不炸”就看这!

我们知道开关电源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易烧坏的器件。开关器件长期工作于高电压大电流状态,承受着很大的功耗,一但过压或过流就会导致功耗大增,晶圆结温急剧上升,如果散热不及时,就会导致器件损坏,甚至可能会伴随爆炸,非常危险。这里就衍生一个概念,安全工作区。

一、什么是安全工作区?

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